锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFZ44NSPBF、IRFZ44NSTRLPBF、IRFZ44对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44NSPBF IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44

描述 INFINEON  IRFZ44NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

额定功率 110 W 110 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0175 Ω 0.0175 Ω 28.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 150 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 49A 49A 50.0 A

上升时间 60 ns 60 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 1470pF @25V(Vds) 1470pF @25V(Vds) -

下降时间 45 ns 45 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) -

输入电容 - 1470 pF 1.90 nF

额定功率(Max) - 3.8 W -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 50.0 A

通道数 - - 1

正向电压 - - 2.50 V

栅电荷 - - 67.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm 4.7 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -