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IXFH14N60P、IXFH14N60P3、IXFA14N60P3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH14N60P IXFH14N60P3 IXFA14N60P3

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-263AA N-CH 600V 14A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 550 mΩ - 540 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 327W (Tc) 327 W

阈值电压 - - 3V ~ 5V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14A 14A

上升时间 27 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 327W (Tc) 327W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 14.0 A - -

输入电容 2.30 nF - -

栅电荷 38.0 nC - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

长度 16.26 mm 16.26 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 21.46 mm 21.46 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -