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PIC18F2550-I/SO、PIC18F2455-I/SO、PIC18F2450-I/SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2550-I/SO PIC18F2455-I/SO PIC18F2450-I/SO

描述 MICROCHIP  PIC18F2550-I/SO  芯片, 微控制器, 8位, PIC18F, 48MHZ, SOIC-28MICROCHIP  PIC18F2455-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 48 MHz, 24 KB, 2 KB, 28 引脚, SOICMICROCHIP  PIC18F2450-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 48 MHz, 16 KB, 768 Byte, 28 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

频率 48 MHz 48 MHz 48 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V

针脚数 28 28 28

时钟频率 48 MHz 48 MHz 8 MHz

RAM大小 2 KB 2 KB 768 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 32 KB 24 KB 16 KB

I/O引脚数 24 24 23

存取时间 48.0 µs 48.0 µs 48.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 24 Input 24 Input 23 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 1000 mW 1000 mW -

内存容量 32000 B - -

内核子架构 PIC18 PIC18 -

长度 17.9 mm 17.9 mm 17.9 mm

宽度 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm

高度 2.35 mm 2.35 mm 2.35 mm

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 3A991.a.2 3A991.a.2 3A991.a.2

香港进出口证 - - NLR

HTS代码 - 8542310001 -