SI2312BDS-T1-E3、SI2312BDS-T1-GE3、SI2312DS-T1-E3对比区别

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型号 SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-GE3 SI2312DS-T1-E3

描述 TRANSISTOR 3900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Small SignalTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3Pin TO-236 T/RMOSFET 20V 3.77A

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

漏源极电阻 0.047 Ω - 33.0 mΩ

耗散功率 1.25 W 750mW (Ta) 750 mW

阈值电压 850 mV - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

漏源击穿电压 20 V - 20.0 V

热阻 100℃/W (RθJA) - -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 750mW (Ta) -

额定功率(Max) - 750 mW -

极性 - - N-Channel

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.90 A

长度 3.04 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

ECCN代码 EAR99 - -