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IDW10G65C5FKSA1、IDW30G65C5FKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDW10G65C5FKSA1 IDW30G65C5FKSA1

描述 INFINEON  IDW10G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247INFINEON  IDW30G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 65 W 150 W

负载电流 10 A 30 A

正向电压 1.7V @10A 1.7V @30A

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电流 10 A 30 A

正向电压(Max) 1.7V @10A -

正向电流(Max) 10 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 65000 mW -

耗散功率 - 150 W

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 165 A

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17