IPA50R250CPXKSA1、SIHA15N50E-E3对比区别

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型号 IPA50R250CPXKSA1 SIHA15N50E-E3

描述 Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装VISHAY  SIHA15N50E-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.22 Ω 0.243 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 33 W 33 W

阈值电压 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A -

上升时间 14 ns -

输入电容(Ciss) 1420pF @100V(Vds) -

下降时间 11 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 33 W -

额定功率 33 W -

封装 TO-220 TO-220

长度 10.65 mm -

宽度 4.85 mm -

高度 16.15 mm -

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - -

产品生命周期 Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -