APT12GT60BRG、IKW15T120、STGP6NC60HD对比区别
型号 APT12GT60BRG IKW15T120 STGP6NC60HD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3Pin(3+Tab) TO-247IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD 单晶体管, IGBT, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 25.0 A - 15.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 108000 mW 110 W 62500 mW
额定功率 - 110 W -
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 110 W 56 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 600 V
反向恢复时间 - 140 ns 21 ns
额定功率(Max) - 110 W 56 W
针脚数 - - 3
上升时间 - - 5.00 ns
封装 TO-247 TO-247-3 TO-220-3
长度 - 15.9 mm 10.4 mm
宽度 - 5.3 mm 4.6 mm
高度 - 20.9 mm 9.15 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99