CY7C1314BV18-167BZI、CY7C1314CV18-167BZC、CY7C1314BV18-250BZXC对比区别

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型号 CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314BV18-250BZXC

描述 18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 36 36

存取时间(Max) - 0.5 ns 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free