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GP2S27T2J00F、GP2S60B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GP2S27T2J00F GP2S60B

描述 SMT, Detecting Distance : 0.7mm Phototransistor Output, Compact Refl ective PhotointerrupterGP2S60B 编带

数据手册 --

制造商 Sharp (夏普) Sharp (夏普)

分类 光敏传感器探测器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 SMD-4 SMD-4

通道数 - 1

正向电压 1.20 V 1.2 V

波长 - 950 nm

峰值波长 - 930 nm

耗散功率 100 mW 100 mW

上升时间 20.0 µs 100000 ns

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V

正向电流 50 mA 50 mA

击穿电压 - 6 V

正向电流(Max) 50 mA 50 mA

下降时间 - 20 µs

下降时间(Max) 100000 ns 100000 ns

上升时间(Max) 100000 ns 100000 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -25 ℃

耗散功率(Max) 100 mW 100 mW

长度 - 3.2 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1.1 mm

封装 SMD-4 SMD-4

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99