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BUK7909-75AIE、BUK7909-75AIE,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7909-75AIE BUK7909-75AIE,127

描述 N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FETTO-220 N-CH 75V 120A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-5

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 272 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A

输入电容(Ciss) - 4700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 272 W

耗散功率(Max) - 272W (Tc)

额定电压(DC) 75.0 V -

额定电流 75.0 A -

上升时间 - -

下降时间 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 TO-220 TO-220-5

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free