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CY7C1366B-166BGC、CY7C1366C-166BGC、GVT71256C36B-6I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1366B-166BGC CY7C1366C-166BGC GVT71256C36B-6I

描述 9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线DCD同步SRAM 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线DCD同步SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAMCache SRAM, 256KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 119 119 -

封装 BGA BGA-119 BGA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 3.3 V 3.135V ~ 3.6V -

位数 - 36 -

存取时间(Max) - 3.5 ns -

高度 1.46 mm 1.46 mm -

封装 BGA BGA-119 BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -