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JANTX2N6546、JANTX2N6547、2N6547对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6546 JANTX2N6547 2N6547

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNTE ELECTRONICS 2N6547 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400V, 28MHz, 175W, 15A, 6 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 2

封装 TO-204 TO-3 TO-3

安装方式 Through Hole Through Hole -

极性 - - NPN

耗散功率 175 W 175 W 175 W

直流电流增益(hFE) - - 6

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 400 V -

最小电流放大倍数(hFE) 12 @5A, 2V 12 @5A, 2V -

额定功率(Max) 175 W 175 W -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 175000 mW 175000 mW -

封装 TO-204 TO-3 TO-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -