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GS8662T18BGD-300、GS8672T18BGE-300对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662T18BGD-300 GS8672T18BGE-300

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72MDDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 --

制造商 GSI GSI

分类

基础参数对比

封装 BGA-165 LBGA

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 BGA-165 LBGA

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -