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6116LA25SOGI、IDT6116LA45SOI、IDT6116SA35SOI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA25SOGI IDT6116LA45SOI IDT6116SA35SOI

描述 IC SRAM 16Kbit 25NS 24SOICCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

引脚数 24 - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 25 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

长度 15.4 mm - -

宽度 7.6 mm - -

高度 2.34 mm - -

厚度 2.34 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99