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FM25W256-G、FM25W256-GTR、FM25L256B-G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM25W256-G FM25W256-GTR FM25L256B-G

描述 F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。FM25W256 系列 256 Kb (32K x 8) 3.3V 表面贴装 SPI F-RAM 存储器 - SOIC-8NVRAM FRAM Serial-SPI 256Kbit 3.3V 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Ramtron

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

频率 20 MHz - -

电源电压(DC) 2.70V (min) - 3.00 V

额定电流 6 A - 10.0 mA

供电电流 2 mA 2 mA -

针脚数 8 8 -

时钟频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz

存取时间 20 ns - 10.0 ms

内存容量 32000 B - 32000 B

存取时间(Max) 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

工作电压 - 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V

长度 4.98 mm - -

宽度 3.987 mm - -

高度 1.478 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -