IRFB9N65APBF、STP9NK65Z对比区别

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型号 IRFB9N65APBF STP9NK65Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETN沟道650V - 1W - 7A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 650V - 1W - 7A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V

额定电流 - 6.40 A

漏源极电阻 - 1.20 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 125 W

输入电容 - 1145 pF

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 650 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 7.00 A

上升时间 20 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1417pF @25V(Vds) 1145pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W 125 W

下降时间 18 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167 W 125W (Tc)

长度 10.41 mm 10.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.7 mm -

高度 9.01 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free