6116LA55TDB、IDT6116SA55TDB、CY7C128A-45DMB对比区别

高亮显示差异参数

型号 6116LA55TDB IDT6116SA55TDB CY7C128A-45DMB

描述 5V 2K x 8 Asynchronous Static RAMCMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

供电电流 - - 125 mA

位数 - - 8

存取时间 - - 45 ns

存取时间(Max) - - 45 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

长度 32.51 mm - -

宽度 7.62 mm - -

高度 3.56 mm - -

厚度 3.56 mm - -

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001 3A001.a.2.c