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STPSC10065D、STPSC1006D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STPSC10065D STPSC1006D

描述 二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220ACSTMICROELECTRONICS  STPSC1006D  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 10 A, 12 nC, TO-220AC

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 1.45 V 1.75V @10A

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电流 10000 mA 10 A

正向电流(Max) 10 A 10 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃

负载电流 - 10 A

热阻 - 2℃/W (RθJC)

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 40 A

正向电压(Max) - 2.1 V

封装 TO-220-2 TO-220-2

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 15.75 mm

材质 Silicon -

工作温度 - -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99