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SI7904BDN-T1-GE3、SI7904DN-T1-E3、SI7904BDN-T1-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7904BDN-T1-GE3 SI7904DN-T1-E3 SI7904BDN-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8Pin PowerPAK 1212 T/RMOSFET 20V N-CHMOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8 1212-8

引脚数 8 8 -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) - 860pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 17.8 W 1.3 W 17.8 W

漏源极电阻 - 25.0 mΩ -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 - 1.30 W -

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.70 A -

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8 1212-8

长度 - 3.3 mm -

宽度 - 3.3 mm -

高度 - 1.04 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free