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RFP2N20、SPW47N60C3、RFP30N06LE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP2N20 SPW47N60C3 RFP30N06LE

描述 2A , 200V , 3.500 Ohm的N通道功率MOSFET 2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETINFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V 60.0 V

额定电流 - 47.0 A 30.0 A

额定功率 - 415 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 70 mΩ 47.0 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 415 W 96 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 650 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 47.0 A 30.0 A

上升时间 - 27 ns 88 ns

输入电容(Ciss) - 6800pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 415 W -

下降时间 - 8 ns 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 415W (Tc) 96W (Tc)

漏源击穿电压 - - 60.0 V

长度 - 15.9 mm 10.67 mm

宽度 - 5.3 mm 4.7 mm

高度 - 20.95 mm 16.3 mm

封装 - TO-247-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99