SI4446DY-T1-GE3、SI4840BDY-T1-GE3对比区别
型号 SI4446DY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4446DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9A, 40V, 1.1WVISHAY SI4840BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC NSOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 33 mΩ 0.0074 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.1 W 6 W
阈值电压 1.6 V 3 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.56 W
连续漏极电流(Ids) 3.90 A -
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.55 mm
封装 SOIC NSOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99