IRF730、STP7NB40、BUZ60对比区别

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型号 IRF730 STP7NB40 BUZ60

描述 N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFETN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

安装方式 Through Hole Through Hole -

上升时间 11 ns 7.5 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) - 780pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns 9 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) - 75000 mW

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 5.50 A - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 750 mΩ 750 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 100 W 100 W -

漏源极电压(Vds) 400 V - -

漏源击穿电压 400 V 400 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 7.00 A -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.15 mm 9.15 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 150℃ (TJ) - -