IRFI640GPBF、STF19NF20、STF20NF20对比区别

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型号 IRFI640GPBF STF19NF20 STF20NF20

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STF19NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STF20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.18 Ω 0.15 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 25 W 30 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.80 A 7.50 A 18.0 A

上升时间 51 ns 22 ns 30 ns

正向电压(Max) - 1.6 V -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 25 W 30 W

下降时间 36 ns 11 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40 W 25W (Tc) 30W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 18.0 A

输入电容 - - 940 pF

栅电荷 - - 28.0 nC

漏源击穿电压 - - 200 V

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.8 mm 16.4 mm 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99