IRF7493TR、IRF7493TRPBF对比区别

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型号 IRF7493TR IRF7493TRPBF

描述 SOIC N-CH 80V 9.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 80.0 V -

额定电流 9.30 A -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

漏源击穿电压 80.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9.3A

上升时间 7.5 ns 7.5 ns

输入电容(Ciss) 1510pF @25V(Vds) 1510pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)

额定功率 - 2.5 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0115 Ω

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1510 pF

额定功率(Max) - 2.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99