IPD50N03S207ATMA1、SPD50N03S207GBTMA1对比区别

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型号 IPD50N03S207ATMA1 SPD50N03S207GBTMA1

描述 N沟道 30V 50ADPAK N-CH 30V 50A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 136W (Tc) 136 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A

上升时间 40 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 2170pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc)

额定功率 - 136 W

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅