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IS41C16256-35K、IS41C16256C-35TLI、V53C16258HT35I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS41C16256-35K IS41C16256C-35TLI V53C16258HT35I

描述 5V 256K x 16(4Mbit) dynamic RAM with edo page mode4M, 5V, EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, ITHigh performance 256K x 16 EDO page mode CMOS DRAM no self refresh, 35ns

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Mosel-Vitelic

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 - TSOP-40 TSOP-2

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 40 -

封装 - TSOP-40 TSOP-2

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

供电电流 - 230 mA -

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 35 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - EAR99 -