2N6990、JANS2N6990、JANTXV2N6990对比区别

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型号 2N6990 JANS2N6990 JANTXV2N6990

描述 多个（ QUAD ） NPN硅双列直插式 MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINETrans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAKSmall Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-86,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 14 14 -

封装 TO-116-14 DFP -

耗散功率 1.5 W 0.4 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - -

额定功率(Max) 400 mW - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

封装 TO-116-14 DFP -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -