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JAN1N5809、JANS1N5809、JANTX1N5809对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5809 JANS1N5809 JANTX1N5809

描述 军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP超快速整流器 ULTRA FAST RECTIFIERSRectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 1.7A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G112, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 Case E B-Package-2 G-112

正向电压 875mV @4A 875mV @4A 0.875 V

反向恢复时间 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电流 6000 mA 6000 mA -

正向电压(Max) 875mV @4A 875mV @4A -

正向电流(Max) 6 A 6 A -

封装 Case E B-Package-2 G-112

长度 - 7.62 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - -