IS61WV51216EDBLL-10BLI、IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR、IS61WV51216EDBLL-10TLI对比区别

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型号 IS61WV51216EDBLL-10BLI IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR IS61WV51216EDBLL-10TLI

描述 SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.4V 至 3.6V, BGA, 48 引脚, 10 ns静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECC

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 44

封装 BGA-48 BGA-48 TSOP-44

工作电压 - - 2.4V ~ 3.6V

供电电流 - - 50 mA

针脚数 48 - 44

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

封装 BGA-48 BGA-48 TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99