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IRF9956PBF、IRF9956TR、IRF9956对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9956PBF IRF9956TR IRF9956

描述 INFINEON  IRF9956PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 VSOIC N-CH 30V 3.5ASOIC N-CH 30V 3.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 Dual N-Channel N-CH Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.5A 3.50 A

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 3.50 A

产品系列 - - IRF9956

漏源击穿电压 - - 30.0 V

上升时间 8.8 ns - 8.8 ns

下降时间 3 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2000 mW

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.1 Ω - -

耗散功率 2 W - -

阈值电压 1 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -