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IDT70V3599S133BF、IDT70V3599S133DR、70V3599S133BC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70V3599S133BF IDT70V3599S133DR 70V3599S133BC

描述 HIGH -SPEED 3.3V 128 / 64K ×36同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 3.3V 128 / 64K ×36同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEMulti-Port SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 256

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

长度 - - 17.0 mm

宽度 - - 17.0 mm

厚度 - - 1.40 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Bulk

ECCN代码 3A991 3A991 -

电源电压 3.3 V - 3.15V ~ 3.45V

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead