BZV55-B8V2,115、TZMC8V2-GS08、BZV55-C8V2,115对比区别

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型号 BZV55-B8V2,115 TZMC8V2-GS08 BZV55-C8V2,115

描述 NXP BZV55-B8V2,115 单路 齐纳二极管, 8.2V 2% 500 mW, 2引脚 SOD-80C封装500mW，TZM 系列，Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW，击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管，Vishay SemiconductorNXP  BZV55-C8V2,115  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80-2 SOD-80

容差 ±2 % ±5 % ±5 %

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 1.5 V 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

正向电压(Max) 900mV @10mA - 900mV @10mA

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 0.5 W

电容 150 pF - -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 8.20 V -

正向电流 - 200 mA -

长度 - 3.7 mm 3.7 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 3.7 mm - 1.6 mm

封装 SOD-80 SOD-80-2 SOD-80

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 4.6 mV/K - 4.6 mV/℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -