IRG4PC50WPBF、IXDH20N120D1、IGW30N60TFKSA1对比区别
型号 IRG4PC50WPBF IXDH20N120D1 IGW30N60TFKSA1
描述 INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。INFINEON IGW30N60TFKSA1 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
额定功率 200 W 200 W 187 W
针脚数 3 - 3
耗散功率 200 W 200000 mW 187 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 600 V
额定功率(Max) 200 W 200 W 187 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 187000 mW
极性 N-Channel - -
输入电容 3700 pF - -
上升时间 33.0 ns - -
热阻 40 ℃/W - -
反向恢复时间 - 40 ns -
长度 15.9 mm 16.26 mm 16.13 mm
宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.21 mm
高度 20.3 mm 21.46 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99