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CY7C1412KV18-300BZXC、CY7C1412KV18-300BZXI、CY7C1412KV18-300BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1412KV18-300BZXC CY7C1412KV18-300BZXI CY7C1412KV18-300BZC

描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

时钟频率 300 MHz 300 MHz -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 18 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a - -