PUMB20、PUMB20,115对比区别

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型号 PUMB20 PUMB20,115

描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSSOP PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6

极性 PNP PNP

耗散功率 200 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @20mA, 5V

直流电流增益(hFE) 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

额定功率(Max) - 300 mW

耗散功率(Max) - -

封装 SOT-363 SOT-363-6

高度 - 1 mm

长度 - -

宽度 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

ECCN代码 - -