CM75TF-12H、MG75J6ES50、MWI75-06A7对比区别

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型号 CM75TF-12H MG75J6ES50 MWI75-06A7

描述 IGBT MOD 6PAC 600V 75A H SERN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Trans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2

数据手册 ---

制造商 Powerex Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis - Screw

引脚数 19 - 18

封装 Module - E2

极性 N-Channel - -

耗散功率 - - 280000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 3.2nF @25V

额定功率(Max) - - 280 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 280000 mW

封装 Module - E2

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99