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JAN1N750A-1、JANTXV1N750A-1、1N750A-TAP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N750A-1 JANTXV1N750A-1 1N750A-TAP

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 4.7V 0.5W(1/2W)DO-35 4.7V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - -

耗散功率 480 mW 500 mW 500 mW

稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

测试电流 20 mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 - -