BSM20GP60、MUBW20-06A7对比区别

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型号 BSM20GP60 MUBW20-06A7

描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 130000mW 24Pin EconoPIM2Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24Pin E2-Pack

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Chassis

引脚数 24 24

封装 EconoPIM-2 E2-Pack

额定功率 130 W -

正向电压 - 1.4 V

耗散功率 - 125000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V

输入电容(Cies) - 1.1nF @25V

额定功率(Max) - 125 W

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW

宽度 45 mm -

封装 EconoPIM-2 E2-Pack

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free