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2N3420、JANTX2N3420S、MJD2955TF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3420 JANTX2N3420S MJD2955TF

描述 3安培, 85V , NPN硅功率晶体管JAN , JTX , JTXV , JANS 3 Amp, 85V, NPN Silicon Power Transistors JAN, JTX, JTXV, JANSTO-39 NPN 60V 3APower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-5-3 TO-205 TO-252-3

频率 - - 2 MHz

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -10.0 A

极性 - NPN PNP

耗散功率 - - 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 3A 10A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 2V 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - - 100

额定功率(Max) - 1 W 1.75 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 20 W

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.1 mm

高度 - - 2.3 mm

封装 TO-5-3 TO-205 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99