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IXKF40N60SCD1、TK39A60W、FMD40-06KC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXKF40N60SCD1 TK39A60W FMD40-06KC

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 41A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PACTO-220SIS N-CH 600V 38.8ATrans MOSFET N-CH 600V 38A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 ISOPLUS-i4-3 SC-67 ISOPLUS-i4-PAK-5

引脚数 5 - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 60 mΩ

耗散功率 - - -

阈值电压 - - 3.9 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

上升时间 18 ns - 30 ns

下降时间 50 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 55 ℃

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 38.8A -

长度 - - 19.91 mm

宽度 - - 5.03 mm

高度 - - 20.88 mm

封装 ISOPLUS-i4-3 SC-67 ISOPLUS-i4-PAK-5

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free