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IRF9630S、IRF9630STRLPBF、IRF9530SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9630S IRF9630STRLPBF IRF9530SPBF

描述 MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKMOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKMOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 88 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)

上升时间 - - 52 ns

下降时间 - - 39 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定功率(Max) 3 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free