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BZT55C2V7、TZMC2V7-GS08、BZT55C2V4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT55C2V7 TZMC2V7-GS08 BZT55C2V4

描述 500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 Quadro-Melf-2 SOD-80-2 Quadro-Melf-2

针脚数 2 - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 2.7 V 2.7 V 2.4 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

测试电流 - 5 mA 5 mA

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

容差 - ±5 % -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 2.70 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 Quadro-Melf-2 SOD-80-2 Quadro-Melf-2

长度 - 3.7 mm 3.7 mm

宽度 - 1.6 mm 1.6 mm

高度 - 1.6 mm 1.8 mm

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 2016/06/20 2016/06/20

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99 -