IRF1010ZSTRLPBF、STB60NF06LT4、STB60N55F3对比区别

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型号 IRF1010ZSTRLPBF STB60NF06LT4 STB60N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 110 W

产品系列 IRF1010ZS - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 110 W

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 60.0 A -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.016 Ω 8.5 mΩ

阈值电压 - 1 V 4 V

漏源击穿电压 - 60 V 55 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 60.0 A 56.0 A, 80.0 A

上升时间 - 220 ns 50 ns

下降时间 - 30 ns 11.5 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99