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DTC123ECAT116、IA18CSN08UC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123ECAT116 IA18CSN08UC

描述 双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistorIND PROX PLAS M18 NAMUR CBL

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Carlo Gavazzi (瑞士佳乐)

分类 双极性晶体管距离传感器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 -

额定功率 0.2 W -

输出电压 100 mV -

耗散功率 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @20mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

增益带宽 250 MHz -

耗散功率(Max) 350 mW -

电源电压 - 7V ~ 9V

封装 SOT-23-3 -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

工作温度 - -25℃ ~ 70℃ (TA)