BUK768R1-100E、SUM90N10-8M2P-E3对比区别

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型号 BUK768R1-100E SUM90N10-8M2P-E3

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETVISHAY  SUM90N10-8M2P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管

引脚数 3 3

封装 SOT-404 TO-263

漏源极电阻 0.0064 Ω 0.0067 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 263 W 300 W

阈值电压 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

针脚数 - 3

封装 SOT-404 TO-263

产品生命周期 Unknown -

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

含铅标准 - Lead Free