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1N968B、JANTX1N749A-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N968B JANTX1N749A-1

描述 NTE ELECTRONICS  1N968B  齐纳二极管, 20V, 500mW, DO-35SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 DO-35 DO-35

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 480 mW

测试电流 - 20 mA

稳压值 20 V 4.3 V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

针脚数 2 -

封装 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -