IPD60R380E6ATMA2、IPD60R380E6BTMA1对比区别

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型号 IPD60R380E6ATMA2 IPD60R380E6BTMA1

描述 Mosfet Nch 600V 10.6A To252DPAK N-CH 600V 10.6A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 83W (Tc) 83 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 700pF @100V(Vds) 700pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 340 mΩ

极性 - N-CH

阈值电压 - 2.5 V

漏源击穿电压 - 600 V

连续漏极电流(Ids) - 10.6A

上升时间 - 9 ns

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free