NTD20N06LT4、NTD5867NLT4G、NTD20N06LT4G对比区别

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型号 NTD20N06LT4 NTD5867NLT4G NTD20N06LT4G

描述 功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic LevelON SEMICONDUCTOR  NTD5867NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 VON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

漏源极电阻 39.0 mΩ 0.026 Ω 0.039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.36 W 36 W 60 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±15.0 V - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - 20.0 A, 20.0 mA

上升时间 98.0 ns 12.6 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1.36 W 36W (Tc) 1.36 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 1.8 V 1.6 V

输入电容 - 675 pF 7.7pF @25V

额定功率(Max) - 36 W 1.36 W

下降时间 - 2.4 ns 62 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 60 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - NLR -