JANTX1N3671AR、NTE5887、JAN1N3671RA对比区别

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型号 JANTX1N3671AR NTE5887 JAN1N3671RA

描述 Diode Gen Purp 800V 12A Do203aaDiode 800V 12A 2Pin DO-412A silicon power rectifier, 800V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管分立器件

封装 DO-203AA - -

正向电压 1.35V @38A - -

封装 DO-203AA - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

HTS代码 - 85411000800 -