IS43DR82560B-3DBLI、IS43DR82560C-3DBLI对比区别

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型号 IS43DR82560B-3DBLI IS43DR82560C-3DBLI

描述 Integrated Silicon Solution Inc 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333MHz @ CL5, 60 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, ITDDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

位数 8 8

存取时间 450 ps 450 ps

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 -